Ibm и hitachi объединились для разработки 32-нм чипов
Компании IBM и Hitachi ратифицировали договор о совместной разработке новых разработок по производству микросхем с целью ускорить развитие полупроводниковой отрасли.
Совместная деятельность, которая продлится в течение двух лет, затронет разработку 32-нм технологии. Компании совместно собираются создать новые измерения характеристик и методы анализа полупроводниковых чипов чтобы снизить размеры и улучшить характеристики транзисторов, и лучше осознать физику протекающих в них процессов. Инженеры обеих компаний, и сотрудники филиала Hitachi, Hitachi High-Technologies, будут проводить совместные изучения в трех центрах, один из которых находится в Йорктаун Хейтс, штат Нью-Йорк.
IBM и Hitachi в первый раз будут сотрудничать в области чипов. До этого их совместная деятельность касалась серверов и других корпоративных продуктов. Компании кроме этого планируют рассмотреть возможность разработки транзисторов с топологическим уровнем 22 нм.
По словам вице-президента IBM SystemsTechnology Group Берни Мейерсона (Bernie Meyerson), благодаря совместной деятельности, объединяющей опыт Hitachi в области изготовления полупроводников и знания IBM в области CMOS-технологии, компаниям удастся ускорить переход на 32-нм уровень, снизив наряду с этим количество затрат.
Отметим, что в конце 2007 г. IBM уже объявляла о формировании другого альянса ? IBM Common Platform. В него вошли компании AMD, Chartered, Freescale, Infineon, Samsung, Сони, Toshiba и STMicroelectronics. Цель альянса ? кроме этого разработка чипов с применением 32-нм технологического процесса.
IBM вступила в альянс с Hitachi с целью создать 32-нм технологический процесс изготовления чипов
Современные чипы изготавливаются на базе 45-нм технологии. В частности, компания Intel уже выпустила процессоры с данной технологической нормой. AMD готовься к выпуску подобных микросхем во II половине 2008 г.
К массовому производству 32-нм процессоров, как ожидается, Intel готовься к 2010 г., а 22-нм ? к 2011 г. В AMD более осмотрительны с прогнозами. Сравнительно не так давно чипмейкер совместно с IBM изготовил пример микросхемы, в которой первый слой железных соединений полностью создан посредством EUV-литографии. В AMD считают, что благодаря данной разработке индустрия сможет перейти к 22-нм технологическим нормам в 2016 г.
