Смартфоны с 6 гб озу всё ближе: samsung анонсировала первые микросхемы памяти lpddr4 dram плотностью 12 гбит
Компания Samsung Electronics приступила к массовому производству первых в отрасли микросхем памяти типа LPDDR4 плотностью 12 Гбит. Они вычислены на выпуск по нормам 20-нм технологического процесса и призваны значительно ускорить распространение высокопроизводительной памяти типа DRAM для мобильных устройств в мире.
Смотрите кроме этого: Samsung может первой представить смартфон с 6 ГБ ОЗУ
Этим утром компания Samsung объявила старт массового производства новых чипов оперативной памяти на 12 Гбит типа LPDDR4 по 20-нм технологии. Любопытно, что появление этих чипов может привести к выходу на рынок первых смартфонов с 6 ГБ оперативной памяти. Дело в том, что 12 Гбит практически вмещают в себя 1,5 ГБ памяти, соответственно размещение четырёх таких чипов на материнской плате повышает единовременный количество ОЗУ с привычных 2, 3 либо 4 ГБ сходу до 6 ГБ.
Согласно информации из официальных источников, новые LPDDR4-чипы на 30% стремительнее и на 20% энергоэффективнее предшественников.
Необходимо подчеркнуть, что чипы памяти LPDDR4 плотностью 12 Гбит снабжают наивысшую скорость и наибольшую плотность памяти, дешёвую на сегодня для чипов DRAM. Наряду с этим они отличаются высокой энергоэффективностью, простым дизайном и надёжностью, что важно для разработки нового поколения мобильных устройств.
В одном модуле мобильной памяти Samsung может объединять до четырех кристаллов совокупным количеством 6 ГБ. К слову, сейчас это единственный вероятный вариант выпустить микросхему мобильной памяти типа DDR4 количеством 6 ГБ. Любопытно, что новые микросхемы количеством 6 ГБ занимают столько же площади, сколько модулиLPDDR4 количеством 3 ГБ, применяющие микросхемы плотностью 8 Гбит.
Это играется очень ключевую роль при разработке мобильных устройств, где любой мм? площади на вес золота.
Скорость передачи данных, снабжаемая новой памятью, достигает 4266 Мбит/с в расчете на вывод, что на 30% больше если сравнивать с микросхемами памяти LPDDR4 из кристаллов плотностью 8 Гбит, и в два раза выше скорости памяти семь дней4-2133 для ПК. Что характерно, не обращая внимания на прирост в скорости и ёмкости энергопотребление нового ответа на 20% меньше. Помимо этого, производитель отмечает, что с выпуском чипов памяти LPDDR4 плотностью 12 Гбит ему удалось в два раза расширить количества производства для удовлетворения растущего спроса на высокопроизводительную память для мобильных устройств в будущем.
Компания Samsung кроме этого питает громадную надежду, что преимущества новой памяти обеспечат возможность выхода на другие рынки, кроме мобильных устройств, включая мини-ПК, и бытовой и автомобильной электроники.
Источник: Samsung
Создатель: Владимир Скрипин
