Samsung выпустила первые в мире 10 нм чипы
Samsung запустила в производство 10-нм чипы
Samsung Electronics приступила к массовому производству 10 нм чипов с применением разработки FinFET. В соответствии с сообщению компании, это первые в мире микросхемы, созданные в топологии 10 нм.
Компания сказала, что чипы будут использованы при создании нового устройства, релиз которого пройдёт в начале 2017 г. Samsung не уточнила, что это будет за устройство, но, вероятнее речь заходит о смартфоне Galaxy S8.
Ранее корейское издание Electronic Times информировало, что Samsung станет единственным подрядчиком по производству высокопроизводительных чипов Qualcomm Snapdragon 830 с применением 10-нм технологического процесса. Чипы будут использованы в половине смартфонов Galaxy S8.
Технические изюминки
Samsung обещает, что 10 нм чипы будут на 27% более производительными, чем 14 нм. Наряду с этим потребление энергии сократится на 40%. Кроме этого на одной полупроводниковой плате возможно будет разместить на 30% больше чипов.
Компания сказала, что в производстве 10 нм чипов используется способ тройного структурирования, другими словами контур схемы трижды рисуется на плате перед нарезкой. Это оказывает помощь преодолеть масштабное ограничение при создании маленьких по размеру схем.
Samsung Electronics приступила к массовому производству чипов в топологии 10 нм
В производство было запущено первое поколение 10 нм чипов, названное 10LPE. Во второй половине 2017 г. Samsung собирается начать выпуск второго поколения с повышенной производительностью называющиеся 10LPP.
Samsung внедряет FinFET
Компания выпустила собственный первый процессор, выполненный по разработке FinFET, в январе 2015 г. Разработка основана на применении в микросхемах трехмерного затвора, имеющего форму плавника (англ. «fin»). Это разрешает повысить ширину затвора при сохранении площади ячейки. На базе FinFET производятся так именуемые объемные транзисторы.
Samsung В первую очередь 2015 г. производит чипы на базе разработки FinFET с затвором в 14 нм. Это разрешило бренду начать использовать решения премиального уровня в бюджетных устройствах.
В ноябре 2015 г. компания представила новый флагманский 8-ядерный процессор Exynos 8 Octa 8890 с 14 нм транзисторами FinFET. Это первенствовал чип с кастомизированными ядрами, созданными компанией самостоятельно.
В августе 2016 г. Samsung приступила к массовому производству 14 нм процессора Exynos 7 Quad 7570 , а пару дней назад запустила производство 14-нм процессора для носимых устройств по разработке FinFET Exynos 7 Dual 7270.
