Японцы увеличат скорость работы чипов в 10 раз
Основанная в 2004 г. японская исследовательская компания Unisantis Electronics в скором будущем планирует разработать новый транзистор ? базисный элемент любой интегральной схемы, ? применение которого разрешит расширить скорость работы современных чипов на порядок.
Новая разработка стала называться «транзистор с окружающим затвором» (Surrounding Gate Transistor, SGT) и ? как утверждают ученые ? есть первым в мире транзистором, расположенным в трехмерном пространстве. Транзистор складывается из вертикального кремниевого стержня, окруженного ячейками памяти, другими элементами и электрическими контактами. Коллектор, база и эмиттер транзистора находятся в 3D-пространстве, а не в двумерной плоскости, как на данный момент.
По словам инженеров, такая конструкция существенно уменьшает расстояние, которую в ходе функционирования чипа должны преодолевать электроны. Применение таких транзисторов в будущем разрешит в десять раз расширить скорость работы чипов, и понизить их тепловыделение. Тактовая частота процессоров на базе SGT сможет достигать 20 а также 50 ГГц.
Помимо этого, по словам ученых, новые чипы на базе транзисторов с окружающим затвором будут дешевле если сравнивать с нынешними продуктами.
Для нового транзистора компания Unisantis заявила о начале сотрудничества с сингапурским Университетом микроэлектроники (Institute of Microelectronics). В скором будущем будет организована коммисия, которая включит более 30 экспертов из Сингапура, Китая, Кореи, Тайваня и Малайзии.
Ее возглавит основной технический директор Unisantis, доктор наук Фуджио Масуока (Fujio Masuoka), что известен, в первую очередь, как изобретатель энергонезависимой флэш-памяти, применяемой сейчас в тысяче устройств в мире. Университет микроэлектроники обеспечит команду нужными знаниями в области изготовления полупроводников по разработке CMOS, и предоставит современное техническое оснащение. Совместная работа будет продолжаться в течении следующих двух лет и, при необходимости, продолжится дальше.
Тактовая частота процессоров на базе транзистора SGT сможет достигать 50 ГГц
«В плане размера и скорости работы потенциала SGT хватит в течении следующих 30 лет, пока не будет достигнуты его теоретические границы», ? заявляет Масуока. Он утвержает, что разработка для того чтобы транзистора велась им в течении 20 лет.
