Беспереходные транзисторы могут усовершенствовать чипы
Исследователям из ирландского Национального НИИ им. Тиндаля (Tyndall National Institute) удалось создать полупроводниковую структуру, претендующую на важную роль для предстоящего развития электронных компонентов.
По словам ученых, представленный ими беспереходный транзистор – первое в мире физически реализованное устройство для того чтобы типа. Функционирование структуры основано на возможности управления протеканием тока, впредь до полного запирания, через узкий, толщиной всего 10 нм, проводник, при помощи «электрического сжатия» со стороны окружающего его слоя, взявшего наименование «обручального кольца».
По данным исследователей, отсутствие классических для транзисторов переходов между полупроводниками n- и p-типов разрешает как снизить размеры логических вентилей, так и улучшить их характеристики – к примеру, значительно уменьшить токи утечки, и снизить цена чипов. Наряду с этим для того чтобы с беспереходными транзисторами смогут употребляться те же технологические операции, что и в техпроцессе типа CMOS.
Исследователи применяли коммерческие SOI-подложки и электронно-лучевую литографию для нанопроводников (либо нанолент) шириной примерно 30 нм и толщиной 10 нм. По окончании выращивания 10-нм слоя оксида, нанопроводники подвергались легированию мышьяком чтобы получить канал n-типа, либо фторидом бора – для p-типа. Окружающий затворный слой управления толщиной 50 нм был организован из поликристаллического кремния, и легирован так, дабы различаться от типа канала.
Созданный беспереходный транзистор напоминает структуру, в первый раз предложенную еще в 1925 г. и известную называющиеся устройства Лилиенфильда, по имени его изобретателя, австро-венгерского ученого Юлиуса Эдгара Лилиенфильда (Julius Edgar Lilienfield). Но реализация устройства стала вероятна лишь на данный момент, благодаря появлению разработок, разрешивших вырабатывать кремниевые проводники толщиной всего лишь в пара десятков атомов.
Результаты работы размещены в Nature Nanotechnology.
