Samsung представила первую в мире 10-нм finfet технологию полупроводников
До тех пор пока наибольшие производители чипсетов для мобильных устройств, как, к примеру, Qualcomm, полагаются на 20-нм техпроцесс для собственных топовых микросхем, компания Samsung отправилась дальше и создала 14-нм чипсет, выполненный по разработке FinFET. По слухам, эти микросхемы дебютируют в Samsung Galaxy S6 и S6 Edge. Помимо этого, схожая разработка производства полупроводников будет применена при создании новых чипов серии A от Apple.
Не обращая внимания на то, что 14-аккумуляторная техпроцесс ещё пока только начинает собственный развитие, компании Samsung показалось этого мало и на этой неделе южнокорейский гигант представил первую в мире разработку производства полупроводников по 10-нм техпроцессу с применением конструкции FinFET.
Разработка была показана на интернациональной конференции твердотельной электроники ISSCC, которая проходит с 22 по 26 февраля в Сан-Франциско. Президент отделения полупроводниковых разработок компании Samsung Electronics Ким Ки-Нам объявил, что представленная разработка будет громадным шагом в развитии Интернета вещей, поскольку чипсеты, выполненные по новому техпроцессу, будут ещё более энергоэффективными и меньше по размеру, чем прошлые разработки. Кроме этого представитель Samsung поведала о 10-нм ходе производства DRAM-памяти и 3D V-NAND-технологии производства носителей информации.
Пока не сообщается, в то время, когда новая разработка начнет использоваться для производства потребительских продуктов, но это точно не случится до 2016 года. Так что, быть может, преемник Galaxy S6 возьмёт процессор, выполненный с применением 10-нм техпроцесса. Samsung делает важные удачи в области полупроводниковых разработок, и компания на пути к тому, дабы занять ещё более прочные позиции в качестве поставщика аппаратного обеспечения для больших производителей.
Источник: gforgames.com
