Samsung открыл эру памяти на 3d-чипах
Компания Samsung Electronics заявила о начале массового производства новых чипов флэш-памяти NAND, емкостью 16 ГБ. В новых микросхемах в первый раз в промышленных масштабах реализована разработка размещения ячеек в объемной структуре 3D V-NAND.
С момента появления 40 лет назад и по сей день флэш-память представляла собой планарную, двухмерную структуру ячеек. Повышать плотность хранения информации сейчас разрешало уменьшение технологического процесса производства. Но с приближением технологического процесса к 10-нм норме между ячейками памяти начала возникать интерференция, в следствии чего надежность хранения данных снизилась ниже допустимого предела.
Разработка 3D V-NAND призвана решить эту проблему: открыть новый метод увеличения плотности хранения данных в будущем, сохранив такую технологическую норму, которая обеспечит нужный уровень надежности.
В новых чипах памяти, выполненных по разработке 3D V-NAND, ячейки расположены по отношению друг к другу в трех измерениях. Соединение ячеек по вертикали обеспечивается особыми проводниками. В одной микросхеме возможно до 24 слоев с ячейками, наряду с этим через особые отверстия проводник может изолированно проходить через другие слои и, к примеру, соединять ячейки первого и двадцать четвертого слоев.
В Samsung утверждают, что 3D V-NAND разрешает добиться 8-кратного повышения емкости: к примеру, оснастить ноутбук не 128 ГБ памяти, а 1 ТераБайт.
Но новая разработка разрешает не толькоповысить плотность, но и взять значительно более высокую надежность (в 2-10 раз) если сравнивать с NAND-памятью, выполненной на базе 10-нм техпроцесса. Помимо этого, 3D V-NAND снабжает более высокую скорость записи — в два раза выше, — утверждают в Samsung.
Новые микросхемы памяти Samsung
Выпуску первой памяти 3D V-NAND предшествовало около 10 лет изучений, добавили в компании.
Новая разработка разрешает продолжит повышать плотность записи
Новая память подходит для устройств разного типа: она может употребляться как в потребительской электронике, так и промышленном оборудовании, включая твердотельные накопители. В будущем Samsung собирается расширять портфель продукции с разработкой 3D V-NAND.
3D V-NAND кроме этого имеет ограничения. В Samsung предполагают, что к собственному пределу разработка подойдет приблизительно к концу текущего десятилетия.
