Samsung galaxy s8 может получить целых 8 gb оперативной памяти
23.10
На этой неделе корейская компания продемонстрировала чипы LPDDR4 рекордной емкости 8 Gb. Так будущий Samsung Galaxy S8 может взять как раз столько ОЗУ, а не 4 либо 6 Gb, как предполагалось раннее.
Тренд на резкое повышение количества оперативной памяти смартфонов начался как раз в текущем году, и запустили его не большие производители наподобие Samsung, а чисто китайские вендоры наподобие LeEco и OnePlus.
Во-первых, на данный момент чипы памяти LPDDR3/LPDDR4 недороги очень. И добавление лишних 2 и более Gb не вызывает большого повышения конечной цене гаджета.
Во-вторых, как раз маленьким брендам из Поднебесной в виду огромной борьбе на внутреннем рынке сложнее всего завлекать внимание к собственной продукции. Скажем, разработка уникального дизайна обходится намного дороже наращивания ОЗУ.
Не обращая внимания на то, что в этих условиях смартфоны с 6 Gb ОЗУ фактически не побеждают по производительности у 4-гигабайтных моделей, клиенты часто предпочитают как раз более «емкие» модели «на вырост».
Очевидно, Samsung просто не может остаться в стороне и нормально смотреть, как китайцы уводят у нее «кусок пирога». В полной мере возможно, что новые скоростные чипы памяти LPDDR4 8 Gb предназначены как раз для Galaxy S8.
В данной разработке один чип содержит четыре кристалла емкостью 16 Gbit. Это произошло благодаря применению нового техпроцесса 10 нанометров. Наряду с этим габариты микросхемы соответствуют современным требованиям компактности и составляют 15x15x1 мм.
Представители Samsung заявляют, что благодаря новому техпроцессу удалось удвоить не только емкость, но и скорость передачи данных LPDDR4, которая сейчас образовывает 4266 Мбит/с.
Такие высокие показатели весьма понадобятся для записи и воспроизведения видеопотока с разрешением 4K, в приложениях виртуальной реальности и при работе с актуальными в наше время двойными камерами.
Кстати, по техпроцессу 10 нм будет производится и процессор Samsung Galaxy S8 (как ожидается, это будет Exynos 8895).
По данным http://www.samsung.com/semiconductor/about-us/news/13861