Разработан революционный тип оперативной памяти
Архитектура ячеек памяти A-RAM не предусматривает применение конденсатора, благодаря чему делается вероятной увеличение и дальнейшая миниатюризация чипов их ёмкости.
Исследователи из Университета Гранады (Испания) совместно со экспертами лаборатории CEA-LETI в Гренобле (Франция) заявили о разработке инновационной разработке изготовления оперативной памяти.
Смотрите кроме этого: Четырехъядерный Samsung Galaxy S III с 2Гб оперативной памяти покажется в Корее
По окончании первого анонса Samsung Galaxy SIII многие люди остались обиженны тем, что оперативной памяти в новом устройстве выяснилось столько же, сколько и у его предшественника, т.е. 1Гб. Позднее корейский производитель заявил о том, что двухъядерный Galaxy, но уже с 2Гб оперативной памяти будет продаваться в Соединенных Штатах.
Но на этом решили не останавливаться и эксклюзивно для собственной государства объявили новую версию смартфона, в котором присутствуют и четырехъядерный процессор с помощью LTE, и 2Гб оперативной памяти.
Архитектура ячеек памяти A-RAM не предусматривает применение конденсатора, благодаря чему делается вероятной увеличение и дальнейшая миниатюризация чипов их ёмкости.
Предложенная методика стала называться Advanced Random Access Memory, либо A-RAM. Предполагается, что со временем память этого типа придёт на смену обширно распространённой динамической памяти с произвольным доступом (DRAM).
Конструкция ячеек DRAM предусматривает применение одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Но по мере миниатюризации микросхем (современные изделия производятся по нормам менее 20 нанометров) уменьшать размер конденсаторов делается всё сложнее.
В ячейках памяти A-RAM конденсатор не используется вовсе, что разрешает решить проблему внедрения более «узких» техпроцессов. Помимо этого, A-RAM снабжает высокую энергетическую эффективность, громадные скорости передачи данных и открывает путь для предстоящего наращивания ёмкости конечных изделий.
Теоретическая модель A-RAM была предложена в 2009 году. Сейчас исследователи смогли доказать возможность её практической реализации.
Разработка A-RAM защищена десятью интернациональными патентами. Интерес к ней уже показали производители компьютерной памяти, включая Samsung, Hynix и Micron.
Подготовлено по данным Университета Гранады.
Создатель: Владимир Парамонов
