Разработан революционный тип оперативной памяти

Разработан революционный тип оперативной памяти

Архитектура ячеек памяти A-RAM не предусматривает применение конденсатора, благодаря чему делается вероятной увеличение и дальнейшая миниатюризация чипов их ёмкости.

Исследователи из Университета Гранады (Испания) совместно со экспертами лаборатории CEA-LETI в Гренобле (Франция) заявили о разработке инновационной разработке изготовления оперативной памяти.

Смотрите кроме этого: Четырехъядерный Samsung Galaxy S III с 2Гб оперативной памяти покажется в Корее

По окончании первого анонса Samsung Galaxy SIII многие люди остались обиженны тем, что оперативной памяти в новом устройстве выяснилось столько же, сколько и у его предшественника, т.е. 1Гб. Позднее корейский производитель заявил о том, что двухъядерный Galaxy, но уже с 2Гб оперативной памяти будет продаваться в Соединенных Штатах.

Но на этом решили не останавливаться и эксклюзивно для собственной государства объявили новую версию смартфона, в котором присутствуют и четырехъядерный процессор с помощью LTE, и 2Гб оперативной памяти.

Архитектура ячеек памяти A-RAM не предусматривает применение конденсатора, благодаря чему делается вероятной увеличение и дальнейшая миниатюризация чипов их ёмкости.

Предложенная методика стала называться Advanced Random Access Memory, либо A-RAM. Предполагается, что со временем память этого типа придёт на смену обширно распространённой динамической памяти с произвольным доступом (DRAM).

Конструкция ячеек DRAM предусматривает применение одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Но по мере миниатюризации микросхем (современные изделия производятся по нормам менее 20 нанометров) уменьшать размер конденсаторов делается всё сложнее.

В ячейках памяти A-RAM конденсатор не используется вовсе, что разрешает решить проблему внедрения более «узких» техпроцессов. Помимо этого, A-RAM снабжает высокую энергетическую эффективность, громадные скорости передачи данных и открывает путь для предстоящего наращивания ёмкости конечных изделий.

Теоретическая модель A-RAM была предложена в 2009 году. Сейчас исследователи смогли доказать возможность её практической реализации.

Разработка A-RAM защищена десятью интернациональными патентами. Интерес к ней уже показали производители компьютерной памяти, включая Samsung, Hynix и Micron.

Подготовлено по данным Университета Гранады.

Создатель: Владимир Парамонов

Всё про оперативную память в одном выпуске!


Темы которые будут Вам интересны: