Обнародована спецификация памяти нового типа hybrid memory cube
Многослойные модули HMC складываются из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой. Если сравнивать с простыми микросхемами памяти обеспечивается 15-кратное повышение пропускной свойстве.
Смотрите кроме этого: Опубликована окончательная версия спецификации сверхбыстрой оперативной памяти нового поколения
Консорциум Hybrid Memory Cube, в который входят больше 100 компаний, включая IBM, Cray, HP, ARM и двух основателей консорциума — Samsung и Micron — опубликовал окончательную версию спецификации HMC.Hybrid Memory Cube — принципиально новая архитектура, которая превосходит DDR3 в 10-15 раз по скорости, на 70% по энергоэффективности и на порядок по экономии площади на кристалле. Главная изюминка разработки — размещение управляющей логики и нескольких слоёв ячеек памяти приятель над втором, каковые соединяются проводниками, проходящими через пара слоёв кремния.
Консорциум Hybrid Memory Cube (НМС), объединяющий более 100 участников, опубликовал финальную спецификацию одноимённой памяти для компьютерных устройств нового поколения.
Иллюстрация Computerworld.
Многослойные модули HMC складываются из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой. По заявлениям разработчиков, если сравнивать с простыми микросхемами памяти изделия HMC снабжают повышение пропускной свойстве в 10–15 раз и понижение энергопотребления на 70%. Занимаемая модулем площадь меньше на порядок.
Спецификация HMC допускает два варианта размещения модулей памяти относительно процессора: на малом (SR) и сверхмалом (USR) расстоянии. В первом случае расстояние не превысит 8–10 дюймов, во втором — 2–3 дюймов. Для конфигурации SR скорость передачи разрешённых может достигать 15 Гбит/с на вывод, для конфигурации USR — 10 Гбит/с.
В возможности эти показатели планируется расширить до 28 и 15 Гбит/с соответственно.
Для модулей памяти HMC предусмотрено использование разработки TSV (Through-Silicon Via), сущность которой — в формировании в кремниевых подложках миниатюрных отверстий, заполняемых медью. Такие каналы играют роль проводников, что разрешает создавать многоярусные чипы.
Первые модули Hybrid Memory Cube будут иметь ёмкость 2 и 4 Гб. Пропускная свойство в обоих направлениях достигнет 160 Гб/с.
С полной спецификацией Hybrid Memory Cube возможно ознакомиться тут.
Подготовлено по данным Hybrid Memory Cube.
Создатель: Владимир Парамонов
