Intel масштабировала 193-нм литографию для 15-нм норм
Компания Intel заявила о том, что ей удалось – как минимум, в лабораторных условиях, – применять литографические инструменты «глубокого ультрафиолета» (DUV, Deep Ultraviolet) с длиной волны 193 нм для 15-нм техпроцесса. Это достижение результат предстоящего развития техники иммерсионной разработке и разных форм двойного сканирования.
Так, представления о предельных возможностях 193-нм литографии снова пересматриваются, а вместе с этим, в очередной раз, возможно отложен вопрос о переходе на применение литографических процессов с применением сверхглубокого ультрафиолета (EUV, Extreme Ultraviolet), с длиной волны порядка 13 нм, где еще существует множество нерешенных вопросов.
На сегодня Intel применяет «сухую» 193-нм литографию для производства по 45-нм нормам. К Январю, вместе с началом применения 32-нм техпроцесса, компания собирается начать применять первые иммерсионные инструменты. Как заявлено, наряду с этим будут употребляться 193-нм иммерсионные сканеры производства Nikon.
По словам Майка Мэйберри (Mike Mayberry), директора отдела изучения компонент и вице-технологий группы и президента производства, возможность применения 193-нм литографии с однократной экспозицией ограничена 35-нм нормами, исходя из этого для производства по 22-нм техпроцессу компания собирается применять одну из форм двойного экспонирования, и, быть может, элементы вычислительной литографии.
Мэйберри подчернул, что до тех пор пока использование 193-нм литографии для 15-нм техпроцесса находится на стадии изучений, и не снабжает возможности формирования всех нужных компонентов чипа. Наровне с этим Intel в сотрудничестве с Nikon работает над EUV-разработками для освоения 16-нм норм. На текущем этапе развития возможность предварительных оборудования и-версий ограничивается свойством формирования некоторых элементов схем в масштабе до 24-нм.
«Клуб производителей» под предводительством компании IBM кроме этого рассчитывает увеличить возможности 193-нм иммерсионных разработок до 22-нм норм, а быть может, и менее, за счет применения элементов вычислительной литографии.
