Everspin начала поставки stt-mram-памяти
Уже пара лет ходят слухи о разработке новых видов компьютерной памяти, но до сих пор эти проекты оставались на уровне лабораторных опытов либо, в лучшем случае, штучного производства. К счастью, обстановка неспешно начинает изменяться. Компания Everspin, занимающаяся разработкой магниторезистивной памяти, заявила о начале поставок 64-мегабитных модулей.
Ранее большой количество производимых ими чипов составлял только 16 мегабит, причём разработка MRAM не разрешала значительно увеличивать плотность компоновки, потому, что это приводит к чрезмерному возрастанию тока записи. В новых модулях употребляется разработка переноса спинового момента (Spin-transfer torque), в то время, когда для смены ориентации поля в магнитном материале употребляется не наложение внешнего магнитного поля, а протекающий ток, в котором преобладают электроны с нужным направлением спинов. Это разрешило обойти проблему повышения плотности чипов.
Смотрите кроме этого: Everspin начинает пробные поставки энергонезависимой памяти нового типа
Компания представила магниторезистивную память с произвольным доступом, выполненную по разработке переключения посредством переноса поясницы. Вместимость модулей — 64 Мбит. Everspin объявила микрочипы магниторезистивной памяти EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM, предназначенные для применения в высокопроизводительных совокупностях хранения данных.Модуль Everspin EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM (изображение производителя).
Новые модули соответствуют стандарту DDR3, что разрешает применять их как для SSD-дисков, так и в DIMM-модулях оперативной памяти. Но, не смотря на то, что скорость работы у них высокая (до 3,2 Гб/с), время доступа до тех пор пока ещё хромает и превышает таковое у простой оперативной памяти приблизительно на порядок, так что вряд ли подобная конфигурация возьмёт широкое распространение.Само собой разумеется, на данном этапе память MRAM выглядит не хватает конкурентоспособной если сравнивать с NAND Flash. Плотность чипов ещё через чур мелка, цена очень высока (приблизительно в 50 раз выше, чем у NAND), энергопотребление также не блещет (в 5 раза больше), но имеется у MRAM и сильные стороны, такие как довольно высокая производительность и низкий износ ячеек при их перезаписи. В любом случае, Everspin полна оптимизма и планирует в ближайщее время добиться гигабитной плотности упаковки с применением 20 нм технологии а также разглядывает возможность замены новой памятью привычной всем DRAM-оперативки.Материалы:
- Пресс-релиз
- Техническая сводка
- Презентация новой памяти
